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碳化硅烧结工艺过程
碳化硅烧结工艺过程
2020-12-24T22:12:27+00:00
碳化硅陶瓷七大烧结工艺会议展览资讯中国粉体网
2021年11月15日 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和 碳化硅粉 进行混合，经注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅反应，即在真空或惰性气氛下将坯 2018年4月5日 碳化硅烧结工艺 无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。 SProehazka通过在超细βSiC粉 碳化硅烧结工艺2022年1月7日 工艺简介： 采用一定颗粒级配的碳化硅（一般为1~10μm）与碳混和后成形素坯，然后在高温下进行渗硅反应，部分硅与碳反应生成SiC与原来坯体中的SiC结合，达到烧结目的。 渗硅的方法有2 碳化硅陶瓷，SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC你分得清吗？2020年6月10日 为了获得纯碳化硅的致密陶瓷制品，以便较大限度地利用碳化硅本身的特性，所以发展了自结合反应烧结法和热压法制造工艺。 自结合碳化硅，就是将αSiC与碳粉 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺2021年4月6日 碳化硅陶瓷的烧结过程非常重要，经过众多研究者研究和探索工作，先后发展了各种烧结技术，包括反应烧结、常压烧结、重结晶烧结、热压烧结、热等静压烧 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘要闻资讯中国粉体网
碳化硅陶瓷的烧结工艺 百度文库
为烧结助剂，在2000℃、30MPa的烧结条件下进行烧结，烧结出SiC陶瓷的致密程度为97～99．3％，而烧结过程中Y2O3和A12O3生成热导率较低的第二相YAG，致使室温下 碳化硅陶瓷工艺流程 实验说明，采纳无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。 如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC 碳化硅陶瓷工艺流程 百度文库2022年6月30日 2022年，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在《Additive 硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法陶瓷碳化硅
2022年6月30日 该团队在3D打印碳化硅陶瓷结构件时利用UPS556系统，他们很快发现了PEP技术的优势，PEP技术将热加工过程转移到烧结步骤，这使得更容易管理热应力，因烧结温度低于其他类型的直接3D打印工 2022年4月28日 图1 氮化硅生产工艺流程图 （1）粉体制备 氮化硅粉体的合成方法主要有硅粉氮化法和化学合成法，国内均采用硅粉氮化法，与化学合成法制备的粉体相比，后者制备的粉体纯度高、球形度好、烧结活性高、受硅原料稳定性影响低，是制备高精度氮化硅轴承球的首选原料，日本 UBE 是唯一能够采用该 盘点不同材料陶瓷球及其工艺：氮化硅、氧化锆、碳化硅 2022年12月6日 反应烧结碳化硅工艺是一种近净尺寸烧结工艺，在烧结过程中几乎没有收缩及尺寸变化，具有烧结温度低、产品结构致密、生产成本低等优点，适合制备大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷制品。 但不足之处是坯体前期制备工艺过于复杂，以及所产出的副产物存在污染 为什么选择无压烧结制备SiC陶瓷？ 知乎2021年8月18日 凝胶注模成型结合反应烧结工艺可以实现复杂结构碳化硅陶瓷的制备。 采用该工艺制备复杂结构碳化硅陶瓷的关键是凝胶注模用浆料性能的调控。 分散剂种类及添加量对浆料性能调控至关重要。 在制备浆料时，添加分散剂可以改变碳化硅颗粒表面的电荷分 复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结2022年6月30日 2022年，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在《Additive Manufacturing》，并申请中国发明专利2项。 碳化硅 (SiC)陶瓷 硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？ 优缺点是什么？ 国际上先进的生产工艺是什么？ 生产工艺的不同 显示全部 关注者 172019年12月13日 碳化硅坯体热（等静）压烧结工艺 流程图 热压烧结工艺简单，制品的致密度高，可达理论密度的99%以上。由于热压烧结的温度较低，从而抑制了晶粒的生长，所得烧结体晶粒较细，强度较高。但热压烧结设备复杂，模具材料要求高，生产工艺 【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺要闻资讯中国粉体网2023年3月28日 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力温度时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。一般烧结温度1950℃，压力在几十MPa。与无压烧结类似，可以通过添加多种烧结助剂以提高制品的陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎2014年10月25日 反应烧结碳化硅的烧结温度范围为1450—1700度，碳与碳化硅的骨架可以预先车削成任何形状，且烧结时坯体的收缩仅在3%以内，这有利于产品尺寸控制。 采用的原料像 碳化硅 、C结合剂等均无需特殊处理，用该工艺制备的 碳化硅 烧结体的生产成本较低。碳化硅反应烧结工艺简述2015年10月8日 碳化硅粉末填入模具中，升温 加热过程中保持一定压力，最终实现成型和烧结同时 完成的烧结方法 。热压烧结的特点是加热加压同时进行，在合适的压力 时间工艺条件控制下实现碳化硅的烧结成型，工艺流程如图 所示。碳化硅陶瓷材料的制备工艺和应用研究进展 豆丁网
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火 2023年2月28日 项目内容 ： 中科同志公司技术人员前往 某 大学进行现场考察，了解到该项目的需求后，针对该需求成立了专项小组开展攻关。 经过对各流程、工艺技术指标和设备运行参数等进行深入分析后，技术人员决定采用中科同志第 二 代 银烧结 “碳化硅银 烧结整体解决方案 ” 建设功率半导体可靠性封装 赋能高校实验室 中科同志碳化硅银烧结解决方案助力科技创新2022年1月17日 常压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，通过常压烧结工艺可以制备出大尺寸和复杂形状的SiC陶瓷制品，且成本低，易于实现工业化生产。由于碳化硅陶瓷的难烧结性，其烧结通常需在很高温度（2300 ～2400℃）下进行，并且需要加入少量添加剂 才 碳化硅陶瓷的制备及烧结温度对其密度的影响2023年5月24日 碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速度极快，开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。 虽然器件开关损耗显著降低，但传统封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会产生更大的电压过冲以及振荡，引起器件电压应力、损耗的增加以及电磁干 碳化硅功率器件封装关键技术 知乎2021年4月6日 热压烧结 美国Norton公司的Alliegro等人研究发明制备碳化硅陶瓷的热压烧结法。 碳化硅粉 末填入模具中，升温加热过程中保持一定压力，最终实现成型和烧结同时完成的烧结方法。 热压烧结的特点是加热加压同时进行，在合适的压力温度时间工艺条件控制 碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘要闻资讯中国粉体网
碳化硅纤维制备工艺有哪些？会议展览资讯中国粉体网
2021年11月15日 随着碳化硅纤维制备工艺的改善，目前已经形成了三代产品。代碳化硅纤维是以日本碳公司生产的Nicalon 200和Tyranno LOXM为代表，由于在其制备过程中引入了氧，纤维中的氧质量分数为10%～15% 2023年3月28日 碳化硅性能优异， 衬底为最核心环节：碳化硅材料性能突破硅基极限， 相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历 芯片的设计与制造， 再到模块的封装后，最终流向下游应用市场。碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程 知乎2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散 碳化硅功率模块封装技术综述 知乎2023年5月19日 目前制备碳化硅陶瓷材料的方法多采用烧结工艺。 化学气相沉积法是早期用于制备碳化硅陶瓷Ti3SiC2的方法。 国外的Racault等用CVD法也合成了Ti3SiC2，研究结果表明：此方法很难得到纯度较高的碳化硅陶瓷，通常还有杂质，韧性较差，且只能在实验室少量制备，难以进一步开发利用[9]。CVD法制备SiC的研究现状与展望*西安工业大学图书馆 XATU二、碳化硅陶瓷的烧结 1、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采纳无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。 目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的要紧方法。 美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1．732 碳化硅陶瓷工艺流程 百度文库
第三代半导体低温烧结纳米银膏技术汇总 知乎
2021年2月17日 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第3代半导体材料，是继以硅（Si）基半导体为代表的第1代半导体 烧结技术通过高温使材料表面原子互相扩散，从而形成致密晶体的过程，是20世纪90年代初Schwarzbauer等人基于烧结理论发明的一种 连接 2022年8月9日 结合银烧结工艺和大功率碳化硅芯片，带有活性金属涂层的AMB铜层可以实现高功率、更好的散热和高可靠性的封装模块（可承受3000次热冲击），已广泛应用于电动汽车、电力机车 和高速列车。DBC和AMB的性能对比如图1所示 了解陶瓷基板DBC和AMB铜基板技术流程介绍 知乎但碳化硅在新领域的应用对它的性能提出了更高的要求，我们需要进一步完善现有的较为成熟的烧结工艺，并发展新工艺生产具备更高性能的碳化硅，如闪烧，放电等离子烧结等，需要持续研究关注，以制备出更加优良的碳化硅材料，满足高新领域的需求。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社2021年2月1日 无压烧结和反应烧结是碳化硅制品烧结的两种工艺，由于其烧制过程不同，因而其产品的性能也有所不同，主要突出在无压烧结碳化硅材料技术参数和反应烧结 碳化硅材料技术参数。 1 烧制过程不同 反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。碳化硅悬臂桨西安中威（ZHWE）烧结2023年9月18日 碳化硅、碳、粘合剂等原料不需要特殊处理，市场供应。因此，该工艺制备的碳化硅烧结体的生产成本较低，价格相对较低，竞争力较强。然而，该过程决定了游离硅总是残留在空白体中，这将影响未来产品的应用。烧结体的强度不如其他工艺产品，耐磨性降低。加工反应烧结碳化硅陶瓷的设备 知乎
氮化硅陶瓷制备方法（全） 知乎
2021年6月22日 微波烧结可大幅度降低 Si 3 N 4 的致密化温度， 提高相转变速度， 缩短烧结时间， 其力学性能也得到明显提高。8、 等离子体烧结法 等离子体烧结是将陶瓷素坯放在等离子体发生器中， 利用等离子体特有的高温、 高焓，快速烧成陶瓷的一种新工艺。2018年4月9日 碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术 碳化硅芯片可在300℃以上稳定工作，预计模块结温将达到175200℃。 传统功率模块中，芯片通过软钎焊接到基板上，连接界面一般为两相或三相合金系统，在温度变化过程中，连接界面通过形成金属化合物层 碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术 百家号2017年11月6日 分析其原因：由于常压固相烧结SiC 陶瓷, 固态扩散是其烧结过程中的主要物质传质方式[8]，在不添加有机酚醛树脂的情况下，单独使用B4C作为无机碳源时，碳易发生分散不均匀、偏聚等情况，导致碳化硅晶粒的生长速率慢，不易实现致密化烧结。而有机酚醛SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究2020年4月12日 由此可见，Si3N4SiC耐火材料的生产过程是一个复杂的控制过程，需选用合理的颗粒级配和成型工艺，在高纯氮气气氛中进行氮化烧结。 总的氮化时间与原料的粒度、生坯密度、坯体尺寸、氮化温度、烧结助剂种类等有关。氮化硅结合碳化硅耐火材料的制备方法2023年6月21日 其主要制作工艺包括以下几种： 1热压成型 将预制的 碳化硅陶瓷粉末 在高温、高压的条件下进行热压成型，形成具有一定形状的陶瓷件。 该 工艺制作 的陶瓷件 密度 高、强度大，适用于制作形状简单、壁薄、尺寸精度要求高的陶瓷件。 2烧结成型 将粉 碳化硅陶瓷性能如何?有哪些制作工艺? 知乎
先进半导体研究院碳化硅芯片怎么制造？（科普视频转发
2021年8月5日 自动连播 68万 浙江大学先进半导体研究院宽禁代半导体材料（碳化硅、氮化镓）以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领 2020年6月10日 种封装 ，就是将晶圆做成器件。 这是之前模拟在 碳化硅做成的MOSFET 中看到的图，两者的区别，就是封装。 封装把衬底、氧化物、金属装在塑料当中，这样可以保护芯片、增强电热性能；同时，使用金属，将源极、漏极、栅极都引出，方便宏 【干货整理】碳化硅芯片也要封装 知乎2023年4月24日 高纯度CVD SiC厚层材料的工艺（01）：材料生长 一般CVD SiC镀层的工艺步骤：1）启动CVD沉积炉的加温箱，使温度达到100~160℃；2）将石墨胚体（或称为基底，类似于生长衬底）放入CVD沉积炉内的转盘上，然后带动石墨旋转；3）循环操作：将沉积炉内抽真空，再通入 高纯度CVD SiC厚层材料的工艺（01）：材料生长 知乎2021年4月26日 SiC 的使用是新的，芯片的烧结连接技术也是新的，尤其是用于汽车电力电子。 最重要的是，使用善仁烧结银的模块技术比同行领先 23 年。 同时也是被认为非常有前景和风险的。 时间压力是一个巨大的挑战。 虽然模块的设计是可以的，但许多工艺是完全 SiC碳化硅模块烧结银的创新和挑战 知乎2021年1月29日 添加适当含量的C+B4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制，陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩，可以获得致密度较高，力学性能较好的碳化硅陶瓷，碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟。碳化硅晶舟（SIC BOAT）如何做到9999%的高纯度？烧结
碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘技术邻
2021年5月24日 碳化硅坯体热 (等静) 压烧结工艺流程图 反应烧结 反应烧结碳化硅最早由 PPopper 在上世纪 50 年代提出，其工艺过程是将碳源和碳化硅粉混合，通过注浆成型，干压或冷等静压成型制备出坯体，然后进行渗硅反应，即在真空或惰性气氛下将坯体加热至 年7月4日 2碳化硅的冶炼工艺 硅质原料(石英砂或脉石英等)与石油焦在2000~2500 ℃的电阻炉中通过下列反应合成碳化硅： SiO2+3C→SiC+2CO↑12586kcal CO气体透过炉料排出。加入食盐可与Fe、Al等杂质反应生成氯化物而挥发掉;木屑使物料形成多孔烧结体，便 耐火原材料——碳化硅的合成工艺 百家号2022年7月4日 烧后制品体积密度为 302 gcm3，抗弯强度达到了580 MPa，比普通反应烧结碳化硅强度提高了一倍以上 。 结论 (1) 制备全细粉碳化硅陶瓷所用浆料的最佳搅拌时间为 4 h。 添加石墨后浆料黏度降低，素坯体积密度增加，显气孔率减小，增加了全细粉碳化硅陶 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究 知乎2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2020年10月15日 近20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为 一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁 带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及 更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法陶瓷碳化硅
2022年6月30日 该团队在3D打印碳化硅陶瓷结构件时利用UPS556系统，他们很快发现了PEP技术的优势，PEP技术将热加工过程转移到烧结步骤，这使得更容易管理热应力，因烧结温度低于其他类型的直接3D打印工 2022年4月28日 图1 氮化硅生产工艺流程图 （1）粉体制备 氮化硅粉体的合成方法主要有硅粉氮化法和化学合成法，国内均采用硅粉氮化法，与化学合成法制备的粉体相比，后者制备的粉体纯度高、球形度好、烧结活性高、受硅原料稳定性影响低，是制备高精度氮化硅轴承球的首选原料，日本 UBE 是唯一能够采用该 盘点不同材料陶瓷球及其工艺：氮化硅、氧化锆、碳化硅 2022年12月6日 反应烧结碳化硅工艺是一种近净尺寸烧结工艺，在烧结过程中几乎没有收缩及尺寸变化，具有烧结温度低、产品结构致密、生产成本低等优点，适合制备大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷制品。 但不足之处是坯体前期制备工艺过于复杂，以及所产出的副产物存在污染 为什么选择无压烧结制备SiC陶瓷？ 知乎2021年8月18日 凝胶注模成型结合反应烧结工艺可以实现复杂结构碳化硅陶瓷的制备。 采用该工艺制备复杂结构碳化硅陶瓷的关键是凝胶注模用浆料性能的调控。 分散剂种类及添加量对浆料性能调控至关重要。 在制备浆料时，添加分散剂可以改变碳化硅颗粒表面的电荷分 复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展烧结2022年6月30日 2022年，中国科学院上海硅酸盐研究所陈健副研究员首次提出高温熔融沉积结合反应烧结制备SiC陶瓷新方法。 成功制备出力学性能接近于传统方法制备反应烧结的SiC陶瓷。 相关研究成果发表在《Additive Manufacturing》，并申请中国发明专利2项。 碳化硅 (SiC)陶瓷 硅酸盐研究所探索碳化硅陶瓷制备新方法 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？ 优缺点是什么？ 国际上先进的生产工艺是什么？ 生产工艺的不同 显示全部 关注者 172019年12月13日 碳化硅坯体热（等静）压烧结工艺 流程图 热压烧结工艺简单，制品的致密度高，可达理论密度的99%以上。由于热压烧结的温度较低，从而抑制了晶粒的生长，所得烧结体晶粒较细，强度较高。但热压烧结设备复杂，模具材料要求高，生产工艺 【汇总】碳化硅陶瓷六大烧结工艺要闻资讯中国粉体网2023年3月28日 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力温度时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。一般烧结温度1950℃，压力在几十MPa。与无压烧结类似，可以通过添加多种烧结助剂以提高制品的陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 知乎